第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。

第三代半导体材料已被认为是当今电子产业发展的新动力，尤其是以碳化硅SiC为典型代表的第三代半导体，可以制造高耐压、大功率的电力电子器件如MOSFET、IGBT、SBD等，广泛应用于智能电网、新能源汽车等行业。

作为国内重要的CVD外延设备的供应商，在其6英寸的CVD外延设备上，设计使用了艾克法ACFA01系列IO模块，采用EatherCAT协议，数字量模块采用32点的DI/DO模块，模拟量采用8AI模块，基于此设备对IO产品稳定性和可靠性的高要求，艾克法ACFA01系列IO模块在设备上进行了3个月的厂内测试，目前已在终端业主生产线上投产并稳定运行，该客户对于艾克法IO模块产品的高可靠性和稳定性，以及快速的技术服务响应，表达了高度认可。